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隐藏式MEMS压力传感器敏感芯片及其制作方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-693-9241-1205
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G01L9/06;G01L1/18;B81B7/00;B81C1/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及压力传感器的敏感芯片,具体为一种隐藏式MEMS压力传感器的敏感芯片及其制作方法,解决了现有的硅压阻式压力传感器存在的器件性能、寿命不理想的问题。一种隐藏式MEMS压力传感器敏感芯片,包括以SOI的BOX层为停止层通过刻蚀工艺刻蚀SOI片的衬底层后形成的SOI片器件层(1)和玻璃基底(5);所述SOI片器件层(1)上制作有惠斯登电桥的四个压敏电阻R1、R2、R3、R4和用于连接作用的八个掺杂导线(3)和八个连接锚点(2)。本发明设计合理,制作出的压力传感器敏感芯片克服了外界环境因素对器件电路的影响,也解决了因材料的热失配问题而导致器件性能下降的弊端,延长了器件的使用寿命。
附件下载:  (原始资料备查)

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