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一种NAND型闪存存储器读取操作时的字线电压生成电路【异议或纠错】

档案编号: CQ-696-7141-3092
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G11C16/26;G11C16/34类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种NAND型闪存存储器读取操作时的字线电压生成电路,包括第一电压生成电路、第二电压生成电路和字线电压生成电路;所述第一电压生成电路生成不随温度变化的第一电压;所述第二电压生成电路生成具有正温度系数的第二电压;所述字线电压生成电路对所述第一电压和第二电压进行运算得到具有负温度系数的字线电压并输出。本发明的一种NAND型闪存存储器读取操作时的字线电压生成电路能够生成具有负温度系数的字线电压,且字线电压的负温度系数在-1.5mV/℃附近可调,从而在对NAND型闪存存储器进行读取操作时,能够补偿NAND型闪存存储器的存储单元的负温度系数阈值电压,提高NAND型闪存存储器读取操作的准确性。
附件下载:  (原始资料备查)

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