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硅片的抛光方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-750-4140-4809
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第B24B37/04;H01L21/302类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种硅片的抛光方法,包括下列步骤:提供经过磨片处理后的硅片;在所述硅片的一面贴上保护膜;将贴有保护膜的硅片置于腐蚀液中,进行化学腐蚀;将保护膜去除,进行化学机械抛光;其中,化学腐蚀去除的硅片厚度占化学腐蚀和化学机械抛光去除的硅片总厚度的45%~55%。本发明化学腐蚀去除的硅片厚度占化学腐蚀和化学机械抛光去除的硅片总厚度的45%~55%,化学机械抛光只占总去除厚度的一半,且化学腐蚀后有了一个较为光滑的表面,所以由抛光机进行的化学机械抛光时间相对于传统技术大大缩短。硅片厚度均匀性受抛光机抛光过程中各种因素的影响就小,均匀性就好,且提高了抛光机的生产效率。
附件下载:  (原始资料备查)

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