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真空处理装置【异议或纠错】

档案编号: CQ-129-2684-5912
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C23C14/48;C23C14/32;C23C14/35;C23C14/56类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种真空处理装置(1),包括:上料系统(10),构造成将基材(100)送入真空处理装置(1)中;设置在真空腔体(C)内的离子源系统(20),包括前处理模块、离子注入模块(22)、多弧离子镀沉积模块(23)以及磁控溅射模块(24),以对基材(100)进行处理;电源系统(30),为离子源系统(20)中的各个模块提供电力;移动系统(40),构造成移动基材(100)以使其经过离子源系统(20)中的各个模块;以及下料系统(50),构造成从真空处理装置(1)取出处理后的基材(100)。这种真空处理装置具有高效率、自动化、低成本的特点,能够实现数量众多的小型多面体块状器件的连续金属化。
附件下载:  (原始资料备查)

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