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一种基于自校准的去嵌方法、系统、存储介质及终端【异议或纠错】

档案编号: CQ-131-8550-0125
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G01R31/26类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种基于自校准的去嵌方法、系统、存储介质及终端,晶圆上设置有去嵌结构,所述去嵌结构为左右对称结构,包括直通、反射开路、反射短路和负载匹配;所述基于自校准的去嵌方法包括以下步骤:获取所述负载匹配的直流电阻;对探针尖端面的S参数进行校准;获取所述直通、所述反射开路、所述反射短路和所述负载匹配的S参数;根据所获取的S参数和所述直流电阻分别计算左右去嵌结构的S参数;基于所述校准的S参数和所述左右去嵌结构的S参数计算待测器件的S参数。本发明的基于自校准的去嵌方法、系统、存储介质及终端减少了去嵌过程中探针移动对结果的影响,去嵌精度高;去嵌结构占用面积小,降低了测试成本,提高了测试效率。
附件下载:  (原始资料备查)

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