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基于三维封装结构的多功能相控阵TR芯片【异议或纠错】

档案编号: CQ-318-2922-1904
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G01S7/02类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种基于三维封装结构的多功能相控阵TR芯片,芯片射频部分采用高性能砷化镓芯片,包括四个一样的单通道,分别为第一通道CH1、第二通道CH2、第三通道CH3和第四通道CH4,四个单通道分别与一分四功分器四个端口相连,每个通道包括6位数控衰减器ATT、6为数控移相器PHS、低噪声放大器LNA、驱动放大器DRV1、驱动放大器DRV2、功率放大器PA、单刀三掷开关SP3T、限幅器Limiter;芯片逻辑控制用CMOS芯片做成多功能芯片的控制电路,将CMOS芯片与砷化镓多功能芯片倒装,形成一体化三维封装结构。通过本发明实施例实现的基于三维封装结构的多功能相控阵TR芯片,具有体积小,成本低,一致性好,可靠性高和调试简单的优点。
附件下载:  (原始资料备查)

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