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半导体封装结构及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-318-2922-3582
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L23/498;H01L23/482;H01L21/52;H01L21/60类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法,结构包括:具有容置凹槽的载片;待键合芯片贴装在容置凹槽中并形成侧壁间隙;侧壁补偿桥接层,连接芯片和载片表面并使侧壁间隙与外界连通;种子层及互联金属层,形成在侧壁补偿桥接层上实现芯片和载片的互联。本发明基于侧壁补偿桥接层的设计,在空腔侧壁和芯片侧壁之间制作桥接,后续制备的RDL在桥面通过。本发明可以解决缝隙难以实现有效填充以及填充存在气泡等问题,防止气泡对后续封装工艺的影响。另外,还可以使芯片表面和载片表面之间形成光滑的曲面,利于后续互联。本发明工艺简单,适合各种厚度的芯片,在保护待键合芯片的同时为后续的种子层连续提供保证,使后续RDL的电镀工艺得以进行。
附件下载:  (原始资料备查)

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