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一种耐高温耐辐照压电陶瓷及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-325-7966-2897
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C04B35/01;C04B35/495;C04B35/622;H01L41/43类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种耐高温耐辐照压电陶瓷,其化学通式为(NaBi)-(1-x)(LiM-(1/2)N-(1/2))-xBi-2Nb-2O-9+yBi-2O-3,其中0x0.1;0wt.%y5wt.%;M、N为La、Ce、Pr、Nd、Y、Sm中的一种,M和N为不同元素。制备步骤主要包括粉体制备、干压成型、烧结、机加工、表面金属化及高温老化等过程。上述陶瓷经过600℃/48h高温老化后压电性能稳定在21-24pC/N,在高温600℃时的电阻率大于10~6Ω*cm,可长时间用于538℃(1000°F)、短时间用于593℃(1100°F)的高温环境中。除此之外,上述压电陶瓷在Coγ-ray辐照累积总计量3×10~8rad时性能基本保持不变,可用于辐照环境中。
附件下载:  (原始资料备查)

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