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专利信息

一种磁场屏蔽片及其制备方法和应用【异议或纠错】

档案编号： CQ-334-2388-6314
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第C21D1/74;C21D6/00;C21D9/52;B22F9/04;C22C38/02;C22C38/12;C22C38/16;C23C8/10;H05K9/00类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明属于无线充电技术领域,公开了一种磁场屏蔽片及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下制备步骤：(1)将纳米晶带材在惰性气氛下进行热处理；(2)对步骤(1)热处理后的纳米晶带材进行碎磁处理；(3)对步骤(2)碎磁处理后的纳米晶带材进行气氛氧化处理,所述气氛氧化处理采用40～120℃及80％～95％湿度条件下的湿热空气气氛熟化处理,得到所述磁场屏蔽片。本发明方法采用40～120℃及80％～95％湿度条件下的湿热空气气氛熟化处理的气氛氧化工艺,可优先在碎化后的纳米晶带材缝隙生成氧化绝缘层,在提升电阻降低涡流损耗的同时,显著改善氧化处理后磁场屏蔽片的均匀性及稳定性。
附件下载：  (原始资料备查)

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