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聚羟基烷酸酯/蒙脱土插层型纳米复合材料的制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-419-6718-4600
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C08J3/22;C08L67/04;C08L51/08;C08K9/04类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及聚羟基烷酸酯/蒙脱土插层型纳米复合材料的共混制备。它是一种简便而又高效的共混复合材料的制备方法。本发明所使用制备方法是三步熔融插层法。即先通过引发剂在熔融的条件下制备聚羟基烷酸酯的接枝聚合物,再通过熔融插层法制备出以接枝聚羟基烷酸酯为基体,经有机化改性的纳米蒙脱土为填充成分的填充母料,最后再将此母料与聚羟基烷酸酯熔融共混制备出其复合材料。本发明制备方法简单,所获得的复合材料纳米蒙脱土层间距在1nm-5nm之间,所制得的材料中纳米蒙脱土分散均匀,材料力学性能好,具有较好的耐热性能和成膜性等优点。
附件下载:  (原始资料备查)

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