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平面T型栅晶体管原胞结构及制作方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-450-2431-8339
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请涉及一种平面T型栅晶体管原胞结构及制作方法,该方法包括:在导电外延片上形成氧化层,在氧化层制作硅槽再生成电位平衡虚拟栅氧化层。淀积掺杂多晶,掩备多晶并刻蚀未被掩备的多晶,腐蚀氧化层再次热生长栅氧化层,回填淀积掺杂多晶,掩备预留的平面多晶硅栅,刻蚀多余多晶预留预设宽度的平面栅,掺杂注入形成原胞上的P阱结构扩散形成P阱。在P阱形成电流区结构并注入掺杂硼离子形成硼晕环,淀积掺杂氧化层,开出G极接触孔、S极接触孔、电位平衡虚拟栅接触孔的金属接触区。刻蚀S极接触孔形成浅硅槽,使浅硅槽穿过电流区结构延伸至P阱,并注入形成S极P阱接触区的欧姆接触后进行孔退火,并淀积金属光刻、刻蚀形成S极的引线接触区。
附件下载:  (原始资料备查)

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