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基于自校准的多端口S参数去嵌方法、装置及电子设备【异议或纠错】

档案编号: CQ-507-7799-3160
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G01R31/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供基于自校准的多端口S参数去嵌方法、装置及电子设备,包括:对探针尖端面的S参数进行在片校准并测量得到多端口的S参数矩阵;测量负载标准件的直流电阻;获取预设去嵌结构的S参数;根据去嵌结构的S参数和直流电阻得到待去嵌转接引线及焊盘的两端口S参数;将多端口的S参数矩阵处理得到校准的两端口S参数;基于校准的两端口S参数和待去嵌转接引线及焊盘的两端口S参数得到待测器件的两端口S参数,并对所有待测器件的两端口S参数进行处理得到待测器件的多端口S参数。本发明无需知道去嵌结构的模型参数,有效减少去嵌过程中探针移动对结果的影响,去嵌精度高;同时,去嵌结构占用面积小,有效降低了测试成本,提高了测试效率。
附件下载:  (原始资料备查)

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