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一种基于GaAspHEMT工艺和GaN工艺的功率开关【异议或纠错】

档案编号: CQ-542-0876-8415
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H03K17/042;H03K17/687类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提出了一种基于GaAs pHEMT工艺和GaN工艺的功率开关;驱动放大器部分采用GaAs pHEMT工艺,开关部分采用GaN工艺;相比于其他工艺,GaAs pHEMT工艺具有更高的电子迁移率和优异的功率性能,可以在更低温度下工作,提供更大的电流密度和电子迁移率,使得工作频率和增益有所提高;与传统的Si功率器件相比,GaN功率开关具有较低的导通电阻和更快的开关性能,是高开关频率和高效率操作的最优选择之一。当开关频率增加到MHz级时,软开关对于进一步减小开关损耗和提高效率起着重要作用;本发明与传统功率开关相比,可以实现低的开关损耗而不显著增加其导通损耗。
附件下载:  (原始资料备查)

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