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先进工艺中的静电保护电路【异议或纠错】

档案编号: CQ-552-8367-6651
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L23/60;H01L27/02类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开一种静电保护电路,其包括:形成于衬底中的阱区;自衬底的上表面向下延伸而成的衬底接触区、第一有源区和第二有源区,该第二有源区的一部分位于阱区中,另一部分位于衬底中;形成于衬底的上表面之上的栅极氧化层及与位于栅极氧化层之上的多晶硅栅极;自衬底的上表面向下延伸而成的并位于阱区中的第三有源区和阱接触区;形成于衬底接触区和第一有源区上方的第一金属硅化物区;形成于多晶硅栅极上方的第二金属硅化物区;形成于第三有源区和阱接触区上方的第三金属硅化物区;其中第一金属硅化物区和第二金属硅化物区与第一连接端相连,第三金属硅化物区与第二连接端相连。这样,改进了带金属硅化物工艺的静电保护电路的性能。
附件下载:  (原始资料备查)

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