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NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法以及读出放大器【异议或纠错】

档案编号: CQ-594-8331-8137
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G11C16/24;G11C16/26;G11C7/06;G11C7/18类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了一种NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法以及读出放大器,该连接方法应用于读出放大器。其中,读出放大器包括高压器件以及低压器件,且高压器件以及低压器件均包括栅极以及有源区。具体的,本方法将高压器件设置在读出放大器中的第一预设位置,将低压器件设置在读出放大器中与第一预设位置相邻的第二预设位置。然后设置位线为连续不断的第二金属走线,每条位线通过第一过孔与一个高压器件中栅极电相连,高压器件中的有源区通过第二过孔与第一金属走线的一端电相连,第一金属走线的另一端通过第三过孔与一个低压器件的有源区电相连。即本发明将高压器件的有源区通过第一金属走线与低压器件相连,位线无需被切断,简化了生产工艺。
附件下载:  (原始资料备查)

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