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VDMOS器件版图结构及其制作方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-616-9488-8712
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L27/04;H01L29/06;H01L21/77类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种VDMOS器件版图结构以及制作方法,包括衬底、衬底上的外延层以及外延层上注入形成的P+区域,所述P+区域呈网络结构且全部相互连接。本发明P+区域为全部连接的网络结构的区域,不存在孤立的P+区域,从而使得该版图结构中,所有P+二极管结构单元存在于一个全部连通的网络结构中。当有器件承受反向能量时,没有孤立的P+二极管,反向能量由网络结构连接的所有P+二极管共同承受,从而大大提高了器件的反向冲击能力,保护器件,使器件不易烧毁损坏,减少器件的损坏率,大大提高了器件的安全性能,避免浪费,节约了成本。
附件下载:  (原始资料备查)

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