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一种基于SiGe-BiCMOS工艺的共源共基放大器【异议或纠错】

档案编号: CQ-619-7915-6815
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H03F3/45;H03F1/42;H03F1/02;H03F1/26类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提出了一种基于SiGe-BiCMOS工艺的共源共基放大器,包括输入匹配单元、第一级差分共源共基单元、第二级差分共源共基单元、第三级差分共源共基单元、第四级差分共源共基单元、输出阻抗匹配单元;与四级单端结构的低噪声放大器相比,具有更好的抗噪声能力,并且可以在较低的频率下获得更高的增益;与五级差分结构的低噪声放大器相比,具有更强的稳定性。本发明在输入级采用MOS晶体管,相比HBT晶体管,在较高频率下获得了更低的噪声系数;输入级采用复合晶体管结构,提高了电路的功率增益;本发明采用的共源共基结构,减小了器件的密勒效应,有效地扩展了工作频带。
附件下载:  (原始资料备查)

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