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一种半导体封装方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-628-1092-8624
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/60;H01L21/768类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种半导体封装方法,包括将晶圆的金属触点增厚,在晶圆背部制作与金属触点位置对应的梯形槽,再在梯形槽底部制作连通到金属触点的表面的孔;本发明所述的半导体封装方法,在晶圆基材背部制作与金属触点位置对应的梯形槽,再在梯形槽底部制作连通到金属触点的表面的孔,采用“Y”字型连接,替代了现有TSV工艺中的深孔“1”字型连接方式,能有效降低硅通孔的深宽比,降低了工艺难度,更容易实现产业化;焊盘表面金属增强化处理,既有可作为激光的停止层,也同时增加了焊盘的机械强度和电性能,提升产品的稳定性。
附件下载:  (原始资料备查)

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