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一种用于单面锗晶片的腐蚀方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-635-4437-1406
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B33/10;B24B1/00;C09K3/14;C30B29/08类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请涉及锗晶片加工技术领域,具体公开了一种用于单面锗晶片的腐蚀方法,且包括如下步骤:在锗晶片的背面以及周向设置光刻胶膜;利用酸腐蚀液对锗晶片的正面进行浸泡腐蚀,在不断喷淋酸腐蚀液下,对锗晶片的正面进行一次纵向切入减薄处理;在不断喷淋导流液下,对锗晶片的正面进行二次纵向切入减薄处理、研磨整平处理;除去光刻胶膜;导流液包含以下原料制成:石墨烯粉、两性表面活性剂、非离子表面活性剂、氟化铵、硅烷偶联剂、水。该方法不仅提高锗晶片减薄处理效率,同时降低锗晶片表面粗糙度,提高锗晶片减薄处理的整体性能,满足市场需求。
附件下载:  (原始资料备查)

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