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股份有限公司(外商投资、未上市) 成立历史第27 

一种GaAs单晶及其VGF制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-635-4449-4533
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B29/42;C30B13/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请涉及GaAs单晶制备的技术领域,具体公开了一种GaAs单晶及其VGF制备方法。以Ga元素的含量为参考,制备所述GaAs单晶的原料包括0.15~1.25mol%的稀散金属元素和0.01~0.25mol%的Bi元素;所述稀散金属元素为元素Te和元素Se中的至少一种;制备GaAs单晶的方法包括以下步骤:S1、将砷化镓籽晶、高纯砷、高纯镓、铋锭和稀散金属元素的金属块按照比例添加后,在1245~1300℃的环境温度下反应,合成得到GaAs熔体,S2、将所述GaAs熔体降温后得到GaAs单晶。本申请的GaAs单晶具有位错密度低、成品率高以及电学性能优异的优点。
附件下载:  (原始资料备查)

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