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股份有限公司(外商投资、未上市) 成立历史第27 

一种GaAs单晶生长工艺【异议或纠错】

档案编号: CQ-635-4455-1449
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B11/00;C30B29/40;C30B33/02类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请涉及晶体生长领域,具体公开了一种GaAs单晶生长工艺。包括以下步骤单晶生长:装有GaAs熔体的坩埚逐渐下降,并依次经过高温区、晶体生长区、低温区,单晶生长的过程中,结晶界面始终处于晶体生长区内;所述高温区的温度区间为1260-1250℃,所述晶体生长区的温度区间为1250-1200℃,所述低温区的温度区间为1200-780℃;所述晶体生长区的温度随高度的降低逐渐降低。本申请的制备方法具有提高砷化镓生长品质的优点。
附件下载:  (原始资料备查)

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