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成立历史第 年

微同轴功分器结构的晶圆级制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-055-2321-0674
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01P5/12;H01P11/00类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明提供一种微同轴功分器结构的晶圆级制备方法,涉及功分器技术领域。本发明通过在第三层金属种子层上设置隔断窗口,采用同时电镀第三层侧壁外导体和隔离电阻的方法,使之能够在电镀完成后获得带有高度差的第三层侧壁外导体和隔离电阻,并实现隔离电阻与内导体的两个输出端之间的连接,进而实现隔离电阻与功分器主体的一体化制备。相对于传统制备工艺,在未引入额外工艺步骤的情况下,仅通过第三层金属种子层的隔断窗口设置,成功实现了隔离电阻与功分器主体的一体化制备,简化了整体制备工艺。同时,采用晶圆级制备不仅提升了制备效率,也降低了由隔离电阻的添加工艺引入的失效与同一批次器件不一致性的问题。
附件下载：  (原始资料备查)

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