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有限责任公司(外商投资、非独资) 成立历史第

一种单光子雪崩二极管阵列及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-059-0654-8764
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L27/146类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请涉及半导体领域,公开了一种单光子雪崩二极管阵列及其制备方法,单光子雪崩二极管阵列包括多个单光子雪崩二极管单元,每个单光子雪崩二极管单元的正面包括一个PN结;每个所述单光子雪崩二极管单元的四周都是深沟槽隔离结构;每个所述单光子雪崩二极管单元的背面,在每个所述深沟槽隔离结构的正上方,都布设有金属栅格;所述金属栅格通过第一接触孔与所述深沟槽隔离结构实现电连接;所述金属栅格通过第二接触孔与所述单光子雪崩二极管单元的外延衬底实现电连接;所述金属栅格采用钨材料。金属栅格为钨金属栅格,由于钨对光的反射小于铝,所以本申请中单光子雪崩二极管阵列中钨金属栅格对光的反射小,可以降低串扰,同时减弱闪光现象。
附件下载:  (原始资料备查)

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