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有限责任公司(外商投资企业与内资合资) 成立历史第

半导体器件及其制作方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-059-4921-9943
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/335;H01L21/28;H01L23/34;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/778类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法,在衬底的正面形成多层异质结构层,在顶层的异质结构层上形成第一栅极,在衬底的背面减薄后形成第二栅极,第一栅极与所述第二栅极均延伸至所述异质结构层的侧壁并通过高掺杂栅极连接区相连接,所述第一栅极、所述第二栅极和所述高掺杂栅极连接区组成多个环形栅极结构,环绕多层所述异质结构层,以此提高栅极对2DEG导电沟道层的控制能力,降低漏电流,从而提高器件性能。
附件下载:  (原始资料备查)

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