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半导体结构及其制作方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-059-6031-1253
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/08类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请提供了一种半导体结构及其制作方法,半导体结构包括:硅衬底,硅衬底内具有若干个穿硅通孔;以及位于每个穿硅通孔内以及硅衬底上的第一半导体层、位于第一半导体层上的有源层以及位于有源层上的第二半导体层,第二半导体层的导电类型与第一半导体层的导电类型相反,第一半导体层、有源层与第二半导体层的材料为Ⅲ族氮化物。利用穿硅通孔的深宽比较大,可使第一半导体层内的位错延伸受限,增加湮灭在穿硅通孔的侧壁的几率,从而可形成位错密度小的第一半导体层、有源层以及第二半导体层,提高LED的显色性且使发光波长可自由调整。
附件下载:  (原始资料备查)

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