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专利信息

一种具有GaN电流通道的GaAs基激光器外延片及其制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-061-7585-6235
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01S5/22;H01S5/34;H01S5/343类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开一种具有GaN电流通道的GaAs基激光器外延片及其制备方法。所述GaN电流通道埋设在该外延片中的Alx3Ga1-x3As上波导层中。通过在上波导层中埋入GaN电流通道,将电流限制在GaN电流通道中实现电流约束,因为GaN材料禁带宽度大,对于长波长的光吸收很低,不会影响长波长激光器的激射,有效克服了GaN激光器存在长时间工作会导致功率衰减严重的问题。另外,由于GaN材料的偏振系数与AlGaAs材料不同,在上波导层中埋入GaN电流通道后,能够在GaN/AlGaAs界面处形成一层正的极化电荷吸引自由电子形成补偿,与激光器的内建电场形成抵消,有利于空穴与电子在量子阱中的复合,提升激光器效率。
附件下载：  (原始资料备查)

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