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有限责任公司(外商投资企业与内资合资) 成立历史第

一种半导体结构及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-061-8470-2242
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H10N70/00;H10N70/20;H10B63/10;H10B63/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法,其中,半导体结构包括:第一导电线,第一导电线沿第一方向延伸,第二导电线,第二导电线沿第二方向延伸,其中,第一方向和第二方向平行于同一平面且相互交叉。位于第一导电线和第二导电线之间的相变存储单元,相变存储单元至少包括从下至上分布的选通层及存储层;其中,存储层包括相变层及缓冲层,缓冲层的材料包括硫属化物。
附件下载:  (原始资料备查)

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