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专利信息

中央处理器及其制造方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-061-8581-7614
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H10B63/00;G11C11/56类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明实施例提供了一种中央处理器(CPU)及其制造方法。其中,所述CPU包括：第一半导体结构,所述第一半导体结构包括至少一个内核、与所述内核信号连接的第一级至第N-1级缓存器、以及包含有第一导电触点的第一键合层；其中,所述N等于三或四；第二半导体结构,所述第二半导体结构包括第N级缓存器和包含有第二导电触点的第二键合层；所述第N级缓存器包括三维相变存储器；所述三维相变存储器包括多个存储单元；所述存储单元包括：依次层叠设置的第一电极层、选通层、第二电极层、相变存储层和第三电极层；键合结合层,位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间；其中,所述第一导电触点在所述键合结合层处与所述第二导电触点电性连接。
附件下载：  (原始资料备查)

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