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专利信息

一种制作发光装置的方法以及发光装置【异议或纠错】

档案编号： CQ-062-1979-3472
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32类
授权状态： 已授权
档案内容： 本申请实施例涉及一种制作发光装置的方法以及发光装置,所述发光装置包括发光区和金属导通区,所述金属导通区用于连接所述发光区以及控制电路,制作发光装置的方法包括在所述金属导通区形成牺牲层；使用等离子体增强原子层沉积技术在所述发光区和金属导通区形成第一阻挡层；于所述发光区,在所述第一阻挡层上形成封装层；对所述金属导通区加热,以去除所述牺牲层和所述金属导通区上的膜层,通过等离子体增强原子层沉积技术在所述发光区和金属导通区形成的第一阻挡层膜质致密,台阶覆盖率好,在发光装置的制程中,不需要额外配置刻蚀机台,即可去除金属导通区上的第一阻挡层,本申请制作发光装置的方法的制作成本低,成膜质量好,用户体验良好。
附件下载：  (原始资料备查)

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