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静电释放保护结构及制造方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-066-4575-3576
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/73;H01L27/02;H01L21/77类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种静电释放保护结构,静电释放保护结构串联在金属氧化物半导体场效应管的栅极和源极之间,静电释放保护结构是NPN三极结构或PNP三极结构。本发明还涉及一种具有静电释放保护结构的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法。上述静电释放结构,通过在MOSFET的栅极和源极之间串联NPN或PNP三极结构的静电释放保护结构,使栅极和源极之间的电势差在超过三极结构的击穿电压之前,呈现出绝缘特性;当静电电压超过击穿电压时,三极结构导通使静电得到释放,避免静电击穿栅氧化层对器件造成损伤。且该静电释放保护结构呈现的是双向绝缘特性,即无论栅极电位相对于源极无论正负均为绝缘状态,避免对器件的正常工作状态造成影响。
附件下载:  (原始资料备查)

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