微同轴传输结构及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-067-0407-8580
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01P3/06;H01P11/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种微同轴传输结构及其制备方法,涉及微同轴技术领域。本发明首先通过湿法腐蚀在基底上制备开放式凹槽,利用开放式凹槽的缓坡制备外导体的侧壁金属层,相当于一次性沉积微同轴结构的侧壁和下层外导体;随后在金属层上面制备介质支撑层和电镀内导体;最后电镀上半部分外导体,电镀完成后与下半部分外导体一起组成外导体。整个微同轴结构的制备过程仅有两次电镀过程,相较于传统方案无需多层堆叠进而降低了对多层堆叠的精度要求,无需电镀较厚无需抛光工艺也增加了微同轴结构与一些脆弱微结构如弹簧梁结构的一体化制备的可能性,制作步骤简单,制备成本低,可实现大规模生产。
附件下载:  (原始资料备查)

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