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硅基微同轴威尔金森功分器结构及其一体化制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-067-0647-3014
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01P5/16;H01P11/00类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明提供一种硅基微同轴威尔金森功分器结构及其一体化制备方法,涉及功分器技术领域。本明首先通过湿法腐蚀硅基底制备带有平缓坡度的一分二样式的开放式微沟槽,在开放式微沟槽内沉积带有用于布置隔离电阻的窗口的下层外导体,相当于利用开放式微沟槽的缓坡一次性沉积外导体的侧壁外导体和下层外导体；然后在沟槽内同时电镀内导体和隔离电阻,内导体与隔离电阻的厚度可控；最后电镀上层外导体,电镀完成后,与下层外导体和隔离电阻一起组成以空气为介质的轴威尔金森功分器。制备过程仅有两次电镀过程,制作步骤简单,制备成本低,可实现大规模生产。
附件下载：  (原始资料备查)

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