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有限责任公司(外商投资、非独资) 成立历史第

一种背照式SPAD阵列及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-067-6229-3766
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L27/146类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请涉及半导体领域,公开了一种背照式SPAD阵列及其制备方法,包括:对衬底的第一表面进行N型掺杂和P型掺杂,形成PN结;在衬底的第二表面生长氧化层,并在氧化层中制作接触孔;在氧化层的表面和接触孔内制备金属层;金属层包括钛层和氮化钛层;在金属层的表面制作钨隔离结构体;钨隔离结构体至少位于接触孔内;在衬底的第二表面一侧生长铝层;对衬底的第二表面一侧进行刻蚀,形成图形化铝层、图形化金属层和入光区;刻蚀截止至金属层与氧化层的接触面,图形化铝层与钨隔离结构体电连接;进行后续工艺处理,得到背照式SPAD阵列。本申请中铝层与接触孔区域的衬底之间被钨隔离结构体隔开,避免铝和衬底发生互溶,从而避免出现铝尖楔。
附件下载:  (原始资料备查)

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