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一种直拉单晶成晶工艺及其应用【异议或纠错】

档案编号: CQ-067-8085-0299
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B29/06;C30B15/02;C30B15/10类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种直拉单晶成晶工艺及其应用。本发明旨在通过对备料和熔料工序中的撒钡粉位置、熔料坩埚位置以及熔料功率的变更优化,撒钡粉位置在竖直方向上距坩埚直臂下部以上2/3处,水平位置距坩埚边缘40mm位置处,引放次数最低;熔料坩埚位置在熔料开始时,埚位处于-50mm,熔料4h时,埚位处于0mm,熔料6h时,埚位处于30mm,熔料后期未熔料块线性尺寸在200~300mm大小时坩埚位置应在30mm处,熔料功率在主加85KW,底加功率在70KW,显著降低首投的引放次数,提升首投引放成活率。
附件下载:  (原始资料备查)

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