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专利信息

一种DCB的铜片氧化方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-069-1948-0486
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第C23C8/10类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开了一种DCB的铜片氧化方法,涉及覆铜陶瓷基板制备领域,旨在解决铜片预氧化的问题,其技术方案要点是：一种DCB的铜片氧化方法,包括以下步骤：1)选用厢式炉作为氧化设备,采用电阻丝进行加热；2)直接选取空气作为氧化气源,将整个厢式炉的炉内空间保持与外界空气相通,保证气体交换畅通；3)采取低温氧化的方式进行升温氧化,氧化温度低于300℃；4)在达到预定温度之后,维持预定温度,进行限时保温；5)保温结束后,进行均速降温直至常温。本发明的一种DCB的铜片氧化方法,氧化效率高,成本低,产能高。
附件下载：  (原始资料备查)

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