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掺杂硫的磷化铟单晶棒制法及单晶棒、单晶片及制法、用途【异议或纠错】

档案编号: CQ-069-4791-4361
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B11/02;C30B29/40;C30B29/60;C30B29/64类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及掺杂硫的磷化铟单晶片,其中硫原子浓度为2×10~(18)atoms/cc至8×10~(18)atoms/cc,所述磷化铟单晶片中主表面上的硫浓度相对于平均值偏差不超过15%。本发明还涉及该掺杂硫的磷化铟单晶片的制法、掺杂硫的磷化铟单晶棒的制法,其中掺杂剂为质量比=7.5:1至15:1的硫化铟和硫,硫化铟和硫中的硫按元素质量计,为相对于磷化铟多晶总重量的0.007-0.03%。根据本发明获得的掺杂硫的磷化铟单晶片具有改进的性能,特别是具有更均匀的硫浓度分布、更高的掺杂浓度和更小的位错密度。
附件下载:  (原始资料备查)

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