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成立历史第 年

一种光MOS继电器的封装方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-069-4805-0102
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L21/60;H01L21/52;H01L21/78;H01L21/687;H01L21/67;H01L23/06;H01L23/15类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明涉及集成电路封装技术领域,具体涉及一种光MOS继电器的封装方法。包括：第一步、在陶瓷外壳装片区形成一层金镀层；第二步、在MOS管晶圆片背面焊接面形成一层Ti-Ni-Ag镀层,并晶圆划片成独立的芯片；第三步、在外壳焊接区点涂合金焊料,采用自动贴片机进行MOS芯片的拾取、贴装,然后放入真空共晶炉设备中,焊接后进行助焊剂清洗；第四步、发光二极管、光敏二极管采用导电胶分别粘接固定在小陶瓷基板和陶瓷外壳粘接区；第五步、引线键合；第六步、采用专用倒扣夹具实现小陶瓷基板的180°翻转、自动贴片；第七步,在平行缝焊设备内进行封盖,完成光MOS继电器的封装。本发明焊料选用铅铟银焊料,避免了器件使用环节的二次熔化问题。
附件下载：  (原始资料备查)

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