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一种双振膜硅麦克风及其制造方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-071-3477-8193
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H04R19/04;H04R31/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种双振膜硅麦克风及其制备方法,其结构包括:下结构层、第一振膜、背极板、第二振膜、第一空腔、第一牺牲层锚区、第二空腔、第二牺牲层锚区、第三空腔、第三牺牲层锚区、通孔、气体流动通道、连接杆、释放孔、腔体封口结构。其制造方法包括以下步骤:在下结构层上依次沉积第一牺牲层、第一振膜、第二牺牲层;沉积背极板,并图形化形成通孔;沉积第三牺牲层,并图形化形成深槽;沉积连接杆膜层,并图形化;沉积第二振膜,并图形化形成释放孔;释放第二牺牲层和第三牺牲层;沉积封口材料,并图形化形成腔体封口结构;光刻刻蚀下结构层背面,并停止在第一牺牲层,形成气体流动通道;腐蚀释放第一牺牲层部分材料,形成第一空腔。
附件下载:  (原始资料备查)

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