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一种基于磁控溅射氧化钛的PTFE表面绝缘性能调控方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-073-4084-7312
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C23C14/35;C23C14/08;C23C14/54类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及PTFE绝缘材料性能调控技术领域,特别是公开了一种基于磁控溅射氧化钛的PTFE表面绝缘性能调控方法,该方法包括如下步骤:步骤一,制备测试样品,在不同气压和不同温度下,通过控制磁控溅射氧化钛改性PTFE绝缘材料的时间来调控测试样品的电导率;步骤二,在不同气压下,通过控制磁控溅射氧化钛改性PTFE绝缘材料的时间来调控测试样品的放电特性和闪络特性;步骤三,在不同温度下,通过控制磁控溅射氧化钛改性PTFE绝缘材料的时间来调控测试样品的放电特性和闪络特性;步骤四,针对不同的使用环境需求来调整磁控溅射氧化钛改性PTFE绝缘材料的时间,进而提升PTFE绝缘材料的绝缘性能。本发明的有益效果是,提升高压航空电缆绝缘的可靠性。
附件下载:  (原始资料备查)

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