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专利信息

一种单光子雪崩二极管器件及其制作方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-077-5872-0711
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/107;H01L21/266;H01L21/265类
授权状态： 已授权
档案内容： 本申请涉及半导体制作领域,公开了一种单光子雪崩二极管器件及其制作方法,包括：在衬底的表面形成依次层叠的第一介质层和图形化第二介质层；利用图形化第二介质层的遮挡,对衬底依次进行N型掺杂和P型掺杂,形成PN结；N型掺杂区域和P型掺杂区域沿衬底的厚度方向分布；腐蚀图形化第二介质层,形成开口变大的图形化第二介质层；利用开口变大的图形化第二介质层,对衬底进行N型轻掺杂,形成保护环；去除第一介质层和图形化第二介质层；进行后续工艺处理,得到单光子雪崩二极管器件。本申请在制作保护环时直接腐蚀图形化第二介质层,使图形化第二介质层的开口变大,进而制作出保护环,不需通过制作光刻胶来制作保护环,降低制作成本。
附件下载：  (原始资料备查)

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