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一种导电型碳化硅晶片硅面和碳面的辨别方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-079-4521-6008
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/67类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了一种导电型碳化硅晶片硅面和碳面的辨别方法,所述辨别方法通过对待辨别导电型碳化硅晶体进行处理形成主定位面,在形成待辨别导电型碳化硅晶片后,每个晶片都具有定位边和微观单元,所述微观单元为导电型碳化硅晶体生长所特有的结构;本发明相比于现有技术,仅通过所述主定位边的朝向,以及所述主定位边与所述微观单元的相对位置关系即可辨别所述导电型碳化硅晶片的硅面和碳面,无需再加工出另一个参考面,缩短了生产周期;并且只加工出主定位面,相比于加工出主参考面和副参考面两个参考面,能够增加衬底的可用面积,降低了生产成本,另外所述辨别方法的工艺流程简单,还能在一定程度上提高生产效率。
附件下载:  (原始资料备查)

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