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基于高倍红外热成像的集成电路芯片热仿真结温校正方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-094-6292-6391
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G06F30/20;G06F113/18;G06F119/08类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种基于高倍红外热成像的集成电路芯片热仿真结温校正方法,建立仿真热模型并进行简化,省略掉集成电路结构模型并简化为发热晶体管区域的面积热源;基于仿真热模型导出发热晶体管区域芯片表面温度云图、芯片表面结温值;在测试平台上对芯片进行测试,使用高倍红外热成像仪检测并得到晶体管区域芯片温度场分布,导出集成电路芯片表面温度云图,得到芯片表面结温值;根据上述的芯片表面结温值得到仿真热模型的校正系数K,实现对仿真热模型校正。本发明在产品设计初期即可以得出产品相应工况的结温较高准确值,提高产品散热评估准确性。
附件下载:  (原始资料备查)

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