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专利信息

一种GaAs基915nm/976nm大功率双波长激光器外延片及其制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-094-7968-4472
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01S5/30;H01S5/20;H01S5/04;H01S5/34类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明涉及一种GaAs基915nm/976nm大功率双波长激光器外延片及其制备方法,属于光电子技术领域。本发明以CBr-4和DETe为P、N型掺杂源构建隧道结的方式将915nm和976nm的两个量子阱外延结构连接起来,双波长的外延结构通过隧道结结合实现在一个外延芯片激发双波长,隧道结通过两个分别具有1E20个原子/cm3及以上掺杂浓度的p型和n型10nm以内的薄层组成,而隧道结的材料采用GaAs,GaAs材料在GaAs基激光器外延结构中不仅作为第一层生长材料也作为最后一层材料,通过GaAs隧道结可以很自然地将915nm和976nm外延结构结合到一起。
附件下载：  (原始资料备查)

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