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专利信息

一种择优取向p型碲化铋基多晶块体热电材料的制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-094-9839-9350
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H10N15/00;H10N15/10类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明提供了一种择优取向p型碲化铋基多晶块体热电材料的制备方法,包括以下步骤：以Bi、Sb和Te单质粉末为原料,按Bi-xSb-(2-x)Te-3化学计量比称取配料,将上述原料装入石英玻璃管或高硼硅玻璃管抽真空密封,再将密封的石英玻璃管或高硼硅玻璃管放入摇摆炉内进行充分熔炼,熔炼结束之后,将摇摆炉炉膛旋转至竖直位置,冷却后制得p型碲化铋基合金晶棒；将制得的p型碲化铋基合金晶棒切割成块体,将块体装入等通道转角挤压模具后置于热压烧结炉中进行烧结挤压,即得择优取向p型碲化铋基多晶块体热电材料。本发明所制备的p型碲化铋基多晶块体热电材料电阻率较低、塞贝克系数较高、热导率低,在343K能够得到最大ZT值1.55。
附件下载：  (原始资料备查)

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