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一种光电转换装置及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-098-6162-6761
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明实施例公开了一种光电转换装置及其制备方法,该光电转换装置包括P型半导体衬底,以及位于P型半导体衬底上依次设置的介质膜层、高掺杂半导体层和位于高掺杂半导体层上的第一金属电极,其中,介质膜层的禁带宽度比P型半导体衬底的禁带宽度至少大2.5eV,且介质膜层与P型半导体衬底的导带失配大于0.1eV。本发明实施例提供的一种光电转换装置及其制备方法,通过将P型半导体衬底经介质膜层进行钝化,降低其开路电压损失,再通过在介质膜层上设置高掺杂半导体层,减少载流子的传输路径,以减少电阻损失,从而获得高效的光电转换装置。
附件下载:  (原始资料备查)

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