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一种集成栅极电阻的功率器件及其制造方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-100-4523-0834
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L23/64类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种集成栅极电阻的功率器件及其制造方法,涉及半导体集成电路制造技术领域,该器件包括:器件层包括栅极层,栅极层包括若干条形栅极和N个多晶硅条;功率器件还包括位于所述栅极层表面的绝缘层以及位于绝缘层表面金属层,金属层包括栅极总线、栅极金属、第一熔丝和第二熔丝;其中,栅极总线连接各个条形栅极的两端;各个多晶硅条的一端通过所述第一熔丝连接所述栅极总线,各个多晶硅条的另一端和所述栅极金属相连,栅极金属通过第二熔丝连接所述栅极总线;功率器件还包括位于金属层表面的钝化层、位于第一熔丝的上方的第一窗口和位于第二熔丝上方的第二窗口;有效的降低了功率器件的制造成本。
附件下载:  (原始资料备查)

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