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隔离电容及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-100-4823-0245
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L23/522;H10N97/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明揭示了一种隔离电容及其制备方法,所述隔离电容包括衬底、电介质层、P型外延层、第一电极板和第二电极板、第一介质层和第二介质层,所述P型外延层上形成有封闭的第一深槽隔离区及第二深槽隔离区,第一深槽隔离区位于第二深槽隔离区内部,P型外延层包括位于第一深槽隔离区内部的第一外延区及位于第一深槽隔离区和第二深槽隔离区之间的第二外延区,所述第一外延区上方形成有浅槽隔离区,所述第一电极板和第二电极板位于第一外延区的上方区域。本发明的隔离电容在电极板下方区域通过深槽隔离和浅槽隔离形成密闭的P型外延区域,该区域掺杂浓度较低,在高电压下产生宽耗尽层,从而形成容值很小的耗尽层电容,和其他寄生电容一起串联,进而降低了电极板到衬底之间的整体寄生电容。
附件下载:  (原始资料备查)

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