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专利信息

相变存储器及其形成方法、芯片【异议或纠错】

档案编号： CQ-100-8471-4672
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H10B63/10;H10N70/00类
授权状态： 已授权
档案内容： 本公开实施例提出一种相变存储器及其制作方法、芯片。该相变存储器包括包括：由下至上层叠设置的第一地址线层、第一界面层、至少一个相变存储单元、第二地址线层；其中,第一地址线层包括至少一条沿第一方向延伸的第一地址线；第二地址线层包括至少一条沿第二方向延伸的第二地址线；第二方向与第一方向相交；相变存储单元与第一地址线和第二地址线均垂直；第一界面层包括至少一个第一界面结构；第一界面结构至少位于第一地址线与相变存储单元之间,用于增加相变存储单元与第一地址线之间的接触电阻。
附件下载：  (原始资料备查)

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