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MEMS器件及其制造方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-100-8708-0028
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第B81B7/02;B81C1/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法,该制造方法包括:形成至少一个第一空腔,第一空腔自半导体衬底的指定表面延伸至半导体衬底中;形成第一牺牲层,第一空腔被第一牺牲层填满;形成具有第一通道孔的第一结构层,第一结构层覆盖第一牺牲层,每个第一空腔与相应的第一通道孔位置对应;以及经第一通道孔去除第一空腔中的第一牺牲层。该制造方法通过避免使用DRIE工艺、ICP工艺以及晶圆键合工艺形成空腔与结构层,从而降低了制造成本。
附件下载:  (原始资料备查)

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