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一种硅光器件及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-102-0461-3511
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G02B6/42;G02B6/12;H01L31/02类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种硅光器件及其制备方法,其中,硅光器件包括:半导体衬底层;位于所述半导体衬底层上的器件层,所述器件层中具有贯穿所述器件层的第一开口,所述第一开口包围的器件层的区域为耦合结构,所述耦合结构中具有光波导层和第一绝缘层,所述第一绝缘层位于所述光波导层和所述半导体衬底层之间;所述第一开口和所述耦合结构的底部的半导体衬底层中具有第一凹槽,所述第一凹槽与所述第一开口连通;位于所述第一凹槽和所述第一开口中的折射率匹配层,所述折射率匹配层的折射率小于所述第一绝缘层的折射率。所述硅光器件可兼顾耦合效率高和耦合结构可靠性高。
附件下载:  (原始资料备查)

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